即将在2月18日至22日在美国旧金山举行的ISSCC 2024上，多家芯片巨头都将会展示其全新的半导体领域成果。目前SK海力士也已经官宣了将在大会上展示多款新品，包括全新的GDDR7和HBM3E显存，以及频率更高的LPDDR5T-10533 DRAM。

　　SK海力士同样也将会展示GDDR7显存芯片，速度为35.4Gbps，稍慢于此前三星公布的速度，但存储密度是相同的，都是单颗16Gb。与三星的一样，SK海力士的GDDR7同样采用PAM3信号编码机制，拥有专门的低功耗设计。

　　而全新的HBM3E则针对AI HPC领域，海力士会在会议上展示他们最新的16层堆栈48GB HBM3E芯片，新的设计理论上能让单颗芯片速度达到1280GB/s，采用四颗HBM3E就能达到192GB容量和5.12TB/s的超高带宽。新的HBM3E采用全新的全功能TSV(硅通孔)设计和6相读取数据队列选通方案，以实现硅通孔面积优化。

　　最后SK海力士还为移动设备带来了LPDDR5T内存，频率高达10533MHz，内存电压1.05V，如此高的数据速度得益于独家的寄生电容降低技术和电压偏移校准接收器技术，新的高频LPDDR5T内存能为智能手机、平板电脑和轻薄笔记本提供更好的性能。

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